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Fotodiodi

Come rivelatori di luce alternativi ai fototubi, si sono recentemente affermati i fotodiodi. In questo caso il principio di rivelazione della luce é fondamentalmente diverso dai tubi fotomoltiplicatori. L'elemento sensibile alla luce é costituito da un semiconduttore, generalmente silicio, di tipo PIN. Con questa sigla si indica un wafer di Silicio nel quale si possono individuare tre strati: uno strato drogato con elementi di tipo P (As o Sb), detto strato ``n''; uno strato intermedio di silicio puro (``intrinseco''); ed infine uno strato drogato con elementi B (Al, Ga, In), detto strato ``p''.
 
                                                                Figura 4.3: schema di principio di un fotodiodo
 
 

La porzione sensibile del fotodiodo é lo strato di Si intrinseco. I fotoni di luce che vengono qui assorbiti hanno tipicamente un'energia di 3-4 eV. Il gap di banda nel silicio é dell'ordine di 1 eV (1.12 eV a 300oK), quindi le interazioni dei fotoni di luce visibile nel Si intrinseco ionizzano il materiale dando luogo alla formazione di coppie di ioni positivi ed elettroni (coppie ``buca-elettrone'') che rispettivamente migrano verso il materiale di tipo ``p'' e verso il materiale di tipo ``n''

Rispetto all'uso convenzionale dei fototubi, i fotodiodi presentano vantaggi e svantaggi:
 



 
 
vantaggi



 
 
 



 
 
svantaggi



 
 


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Daniele Dal Fiume

5/13/1998