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Fotodiodi
Come rivelatori di luce alternativi ai fototubi, si sono recentemente affermati
i fotodiodi. In questo caso il principio di rivelazione della luce
é fondamentalmente diverso dai tubi fotomoltiplicatori. L'elemento
sensibile alla luce é costituito da un semiconduttore, generalmente
silicio, di tipo PIN. Con questa sigla si indica un wafer di Silicio nel
quale si possono individuare tre strati: uno strato drogato con elementi
di tipo P (As o Sb), detto strato ``n''; uno strato intermedio di silicio
puro (``intrinseco''); ed infine uno strato drogato con elementi B (Al,
Ga, In), detto strato ``p''.
Figura 4.3: schema di principio di un fotodiodo
La porzione sensibile del fotodiodo é lo strato di Si intrinseco.
I fotoni di luce che vengono qui assorbiti hanno tipicamente un'energia
di 3-4 eV. Il gap di banda nel silicio é dell'ordine di 1 eV (1.12
eV a 300oK), quindi le interazioni dei fotoni di luce
visibile nel Si intrinseco ionizzano il materiale dando luogo alla formazione
di coppie di ioni positivi ed elettroni (coppie ``buca-elettrone'') che
rispettivamente migrano verso il materiale di tipo ``p'' e verso il materiale
di tipo ``n''
Rispetto all'uso convenzionale dei fototubi, i fotodiodi presentano
vantaggi e svantaggi:
vantaggi
-
l'efficienza quantica é estremamente elevata e può raggiungere
e superare anche il 70%: un valore assolutamente irraggiungibile con i
tubi fotomoltiplicatori - vedremo che l'efficienza quantica ha un effetto
primario e diretto sulle prestazioni spettroscopiche del rivelatore a scintillazione,
cioé sulla sua risoluzione energetica
-
la tensione applicata é dell'ordine delle diecine di Volt: quindi
non si usa alta tensione
-
i fotodiodi sono estremamente lineari in risposta
-
l'efficienza quantica rimane elevata per un ampio intervallo di lunghezze
d'onda
-
sono insensibili ai campi magnetici
svantaggi
-
il segnale ottenuto é di ampiezza di alcuni ordini di grandezza
inferiore rispetto al segnale ottenuto da un fototubo
-
comparativamente al segnale la corrente oscura (provocata dalla generazione
spontanea di coppie buca-elettrone per processi principalmente termici
all'interno del fotodiodo) é relativamente alta a temperatura ambiente
- ha una ripida dipendenza dalla temperatura e si riduce rapidamente raffreddando
il fotodiodo
-
data la piccola ampiezza del segnale ottenuto, il rumore proveniente dal
preamplificatore non é più trascurabile, come nel caso dei
segnali provenienti dai tubi fotomoltiplicatori - l'accoppiamento fra fotodiodo
e preamplificatore é un dettaglio critico di progettazione
-
interferenze elettromagnetiche, ad esempio generate da radiofrequenze,
possono contribuire in modo non trascurabile al rumore del fotodiodo -
opportune schermature sono quindi indispensabili
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Daniele Dal Fiume
5/13/1998