Nel caso dei semiconduttori, a differenza di quanto visto nei gas, le mobilità
(dove é il capo elettrico applicato) dei portatori di carica positiva e dei portatori di carica negativa sono pressoché dello stesso ordine. La velocità di drift aumenta con l'aumentare del campo elettrico applicato, raggiungendo valori di saturazione attorno a 107 cm s-1, che corrispondono a tempi di raccolta delle cariche di 100 ns per un rivelatore di spessore di 1 cm.