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Nel caso dei semiconduttori, a differenza di quanto visto nei gas, le
mobilità


(dove
é il capo elettrico applicato)
dei portatori di carica positiva e dei portatori di carica
negativa sono pressoché dello stesso ordine. La velocità di drift
aumenta con
l'aumentare del campo elettrico applicato, raggiungendo valori di
saturazione attorno a 107 cm s-1, che corrispondono a tempi di
raccolta delle cariche di 100 ns per un rivelatore di spessore di 1 cm.
Daniele Dal Fiume
5/13/1998